多晶硅、單晶硅微波、紅外復合專用烘干生產線(xian)工藝設備(bei)要求：

1、物料特(te)性： 干燥物料名(ming)稱：多晶硅料。

2、物(wu)料(liao)形狀(zhuang)：1mm-8mm、8mm-50mm、50mm-150mm 三種規(gui)格，不規(gui)則形狀(zhuang)。

3、含(han)水(shui)率：硅料(liao)表面水(shui)分，小顆(ke)粒的為經過(guo)甩干后的水(shui)分。

干燥原理及控制點：

1、采用干燥原(yuan)理：連續式，微波溫控干燥。

2、微波(bo)精(jing)度控(kong)制：≤1％。 溫度控(kong)制點：多(duo)點控(kong)溫，烘干(gan)過程中(zhong)硅料(liao)溫度≤120℃。

3、傳動系(xi)統：PTFE特氟龍高溫布，可(ke)變頻調(diao)速。 輸送帶回程(cheng)清理：帶自動電動毛刷清掃裝置。

4、微波泄漏量：≤2mW/cm2，測量方法按GB 5959.6-2008中規定執(zhi)行。

生產能力：

1、設計(ji)生產能力250KG/h，24h連續流水式(shi)作業，烘干后需加(jia)冷卻降溫到40℃。

2、設備配置(zhi)與功能 設計總功率(lv)(lv)120kw，微波功率(lv)(lv)90kw，紅外功率(lv)(lv)90kw，循環冷卻水流量約14m3/h，排風量3600m3/h。

3、設(she)備(bei)(bei)長16.75m，寬1.4m，高2.2m。 操作(zuo)柜與微波電(dian)源柜同側布置，操作(zuo)柜靠近上料端(duan)，從操作(zuo)臺處面對設(she)備(bei)(bei)，設(she)備(bei)(bei)為右進左出。

4、設備主體： 設備主體由(you)布料(liao)系(xi)統、微波(bo)抑制(zhi)器（首(shou)尾各一個）、微波(bo)腔(qiang)體、微波(bo)發生器、傳送裝置、排濕冷(leng)卻(que)(que)系(xi)統、下料(liao)冷(leng)卻(que)(que)系(xi)統組成。

5、設備機架(jia)整體采用(yong)304不銹鋼材料制作，微波腔體采用(yong)316L不銹鋼。 微波腔體長9m、寬1.5m、高0.48m。

6、布料(liao)(liao)(liao)系統(tong)： 采用料(liao)(liao)(liao)倉(cang)(cang)加直線篩給料(liao)(liao)(liao)裝置結合，料(liao)(liao)(liao)倉(cang)(cang)容(rong)積0.15立(li)方。料(liao)(liao)(liao)倉(cang)(cang)內(nei)壁等(deng)與硅料(liao)(liao)(liao)接觸的部分，使用高純PU材質內(nei)襯，出口處(chu)PU內(nei)襯需突出殼(ke)體30mm以(yi)上，防止物料(liao)(liao)(liao)污染。

7、設備廠家提供合(he)理(li)的上(shang)料(liao)方(fang)式(shi)，上(shang)料(liao)高(gao)度與(yu)地面距離不超過(guo)1100mm，料(liao)斗高(gao)度根據系統合(he)理(li)設計，布料(liao)系統采用下圖所示方(fang)式(shi)：

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